當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)
IRGB20B60PD1PBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V Warp2 150kHz
IPL60R299CP
MOSFET N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP
IRF5210STRRPBF
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
IRF4104SPBF
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC
IPA180N10N3 G
MOSFET N-Ch 100V 28A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPD127N06L G
MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2
IPW65R037C6FKSA1
MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6
IKQ120N60TAXKSA1
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) IGBT PRODUCTS
IPW60R075CPFKSA1
MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
IKW75N60TA
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V 75A 100nA
IRG4PC60FPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V Fast 1-8kHz
IRGP50B60PD1PBF
IPB65R065C7ATMA1
MOSFET N-Ch 700V 145A D2PAK-2
IPB65R065C7
IKW40N65H5AXKSA1
IRG4PC40UD-EPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V UltraFast 8-60kHz
IRGP30B60KD-EP
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V UltraFast 5-40kHz
IPI60R125CP
MOSFET N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
IPA60R125CP
MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
IRG4IBC30KDPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V UltraFast 8-25kHz
原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)
友(you)情(qing)鏈(lian)接(jie)
深(shen)圳(zhen)市(shi)宏(hong)欣(xin)微(wei)電(dian)子(zi)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)
原(yuan)廠(han)原(yuan)裝(zhuang)正(zheng)品(pin)，備(bei)大(dai)量(liang)庫(ku)存(cun)
7X24小(xiao)時(shi)詢(xun)價(jia)熱(re)線(xian)
0755-82572287
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