當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)
IRGB15B60KDPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V UltraFast 10-30kHz
IRG4PC30KDPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V UltraFast 8-25kHz
IKB20N60TA
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) IGBT PRODUCTS
IRG4PC30FPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V Fast 1-8kHz
IPI60R199CP
MOSFET N-Ch 650V 16A I2PAK-3 CoolMOS CP
IRG4IBC30WPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V Warp 60-150kHz
IPA60R299CPXKSA1
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
IPA60R299CPXK
IRG4BC30KPBF
IRG4BC20KD-SPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
IRG4BC20FDPBF
IRGS6B60KDPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
IPA60R299CP
IPP100N04S3-03
MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T
IRFB4410ZGPBF
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
IPP60R385CP
MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
IPP70N10S3-12
MOSFET N-Ch 100V 70A TO220-3 OptiMOS-T
IPP50R520CPXKSA1
MOSFET N-Ch 550V 7.1A TO220-3
IRF3710STRRPBF
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
IPA100N08N3 G
MOSFET N-Ch 80V 40A TO220FP-3 OptiMOS 3
原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)
友(you)情(qing)鏈(lian)接(jie)
深(shen)圳(zhen)市(shi)宏(hong)欣(xin)微(wei)電(dian)子(zi)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)
原(yuan)廠(han)原(yuan)裝(zhuang)正(zheng)品(pin)，備(bei)大(dai)量(liang)庫(ku)存(cun)
7X24小(xiao)時(shi)詢(xun)價(jia)熱(re)線(xian)
0755-82572287
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