當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)
BC847CE6327HTSA1
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
BCP 56-16 H6327
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) AF TRANSISTOR
BCV48H6327XTSA1
達林頓晶(jing)體(ti)管(guan) AF TRANSISTORS
BCR 505 E6327
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 預(yu)偏(pian)置(zhi) NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BSM100GD120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 100A FL BRIDGE
BSM200GB120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 200A DUAL
BSM75GD120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 75A 3-PHASE
BSM50GP120
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 50A PIM
BSM50GD120DN2E3226
IGBT 模(mu)塊(kuai) N-CH 1.2KV 50A
BSM50GD120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 50A FL BRIDGE
BSM50GX120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai)
BSM35GD120DLCE3224
IGBT 模(mu)塊(kuai) N-CH 1.2KV 70A
BSM30GP60
IGBT 模(mu)塊(kuai) 600V 30A PIM
BSM25GD120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 25A FL BRIDGE
BSM15GP120
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 15A PIM
BSM20GP60
IGBT 模(mu)塊(kuai) 600V 20A PIM
BSM15GD120DLCE3224
IGBT 模(mu)塊(kuai) N-CH 1.2KV 35A
BSM15GD120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 15A 3-PHASE
BSM10GD120DN2E3224
IGBT 模(mu)塊(kuai) N-CH 1.2KV 15A
BSC159N10LSF G
MOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 2
原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)
友(you)情(qing)鏈(lian)接(jie)
深(shen)圳(zhen)市(shi)宏(hong)欣(xin)微(wei)電(dian)子(zi)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)
原(yuan)廠(han)原(yuan)裝(zhuang)正(zheng)品(pin)，備(bei)大(dai)量(liang)庫(ku)存(cun)
7X24小(xiao)時(shi)詢(xun)價(jia)熱(re)線(xian)
0755-82572287
粵(yue)ICP備(bei)2022064169號(hao)